Запросы в Яндексе
В топ 1
В топ 3
В топ 10
В топ 20
Видимость
39
Органическая выдача
Коммерческие
Информационные
Конкурентов
20
Упущенных запросов
124
Ссылки
Исходящих доменов
19
Место в интернете
№ 132 074 444
Вес с июля 2024
8 → 0
Органическая выдача
Запросы сайта
| Запрос | Частота | Место |
|---|---|---|
| транзистор биполярный принцип работы | 116 | 7 |
| эффект холла в полупроводниках | 25 | 1 |
| метод парных точек | 21 | 7 |
| вакуумная электроника | 19 | 3 |
| взаимодействие излучения с веществом | 19 | 9 |
| лбв принцип работы | 17 | 10 |
| получить определение диффузионной длины | 16 | 6 |
| найти схему включения транзистора с общим эмиттером | 15 | 10 |
| радиационная физика | 14 | 1 |
| тепловая скорость электронов формула | 13 | 10 |
| электростатическая линза | 12 | 5 |
| как сечение вероятность взаимодействия зависит от энергии фотонов | 10 | 8 |
| полная погрешность формула | 10 | 8 |
| уравнение эберса молла | 10 | 10 |
| электронная линза | 9 | 6 |
| какие эффекты возникают при взаимодействии фотонного излучения со средой | 9 | 6 |
| схема электронного микроскопа | 9 | 7 |
| входная характеристика транзистора | 9 | 10 |
| вольт амперная характеристика биполярного транзистора | 8 | 8 |
| эффективная масса дырки | 8 | 10 |
| биполярный транзистор вах | 8 | 11 |
| принцип действия электронного микроскопа | 8 | 13 |
| зонные диаграммы полупроводников | 7 | 8 |
| схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером | 7 | 10 |
| в чем измеряется транзистор | 7 | 11 |
| фокусное расстояние иммерсионного объектива | 6 | 4 |
| сопротивление базы транзистора | 6 | 5 |
| электронный микроскоп из чего состоит | 6 | 7 |
| входная характеристика биполярного транзистора | 6 | 9 |
| статические характеристики транзистора | 6 | 11 |
| диоды физика | 6 | 11 |
| протокол лабораторной работы | 5 | 6 |
| формула для расчета погрешности косвенных измерений | 5 | 6 |
| лаборатория электроники официальный сайт | 5 | 7 |
| биполярный транзистор структура | 5 | 9 |
| схема триода | 5 | 10 |
| rf unn ru | 5 | 10 |
| милливольтметр в3 38 как пользоваться | 4 | 2 |
| диффузионная длина | 4 | 3 |
| полная погрешность | 4 | 5 |
| вторичное излучение | 4 | 5 |
| проходная характеристика | 4 | 6 |
| взаимодействие ионизирующего излучения с веществом | 4 | 6 |
| вах триода | 4 | 6 |
| коэффициент инжекции | 4 | 6 |
| каковы причины рассеяния ионизирующего излучения | 4 | 6 |
| как найти pn | 4 | 6 |
| условное обозначение p n p транзистора | 4 | 7 |
| анодное напряжение формула | 4 | 8 |
| неосновные носители заряда | 4 | 9 |
Конкуренты
studfile.net
portal.tpu.ru
habr.com
ru.ruwiki.ru
omgtu.ru
siblec.ru
spravochnick.ru
kpfu.ru
infourok.ru
phys-el.ru
ru.m.ruwiki.ru
solidstate.petrsu.ru
kapitza.ras.ru
rep.bntu.by
condmatt.phys.msu.ru
fn.bmstu.ru
physics.spbstu.ru
wiki2.orgУпущенные запросы
| Запрос | Частота | У конкурентов в топ-10 |
|---|---|---|
| особенности индустриальной цивилизации | 395 | studfile.net, portal.tpu.ru |
| найти человека по фото | 37 403 | habr.com |
| найти по фото человека | 37 403 | habr.com |
| почта россии электронные письма | 18 397 | habr.com |
| электронные письма почта россии | 18 397 | habr.com |
| почта электронные письма россии | 18 397 | habr.com |
| сопромат это | 2 978 | portal.tpu.ru |
| электронный каталог рнб | 1 790 | studfile.net |
| рнб электронный каталог | 1 790 | studfile.net |
| лабораторная работа изучение магнитного поля катушки с током | 1 547 | studfile.net |
| исторические источники вещественные | 1 523 | studfile.net |
| электропроводность соли | 1 402 | studfile.net |
| физика формулы | 1 245 | portal.tpu.ru |
| 5 подвиг геракла кратко 5 класс | 1 243 | studfile.net |
| характеристика героев слово о полку игореве | 1 242 | studfile.net |
| слово о полку игореве характеристика героев | 1 242 | studfile.net |
| масса и размер атомов и молекул | 1 163 | studfile.net |
| заключительный этап подготовки атлетов к играм в древней греции проводился в специальном помещении в | 1 136 | studfile.net |
| множество операции над множествами диаграммы эйлера венна | 1 117 | studfile.net |
| математическое моделирование | 968 | portal.tpu.ru |
| диаграмма железо углерод | 938 | portal.tpu.ru |
| железо углерод диаграмма | 938 | portal.tpu.ru |
| основы электротехники | 828 | portal.tpu.ru |
| приведите примеры различных классификаций научного знания что положено в их основу | 749 | studfile.net |
| какое воздействие оказывает электрический ток на организм человека | 732 | portal.tpu.ru |
| секс как происходит | 696 | studfile.net |
| какое воздействие на организм человека оказывает электрический ток | 690 | portal.tpu.ru |
| бжд что такое | 684 | portal.tpu.ru |
| какую роль политика играет в жизни общества кратко | 663 | studfile.net |
| микробиология пспбгму | 643 | studfile.net |
| пспбгму микробиология | 643 | studfile.net |
| разделы зоологии схема | 617 | studfile.net |
| особенности тушения пожаров в сельской местности | 609 | studfile.net |
| строение нефрона | 602 | portal.tpu.ru |
| заключительный этап подготовки атлетов к играм в древней греции проводился в специальном помещении называемом | 588 | studfile.net |
| русский массаж | 586 | studfile.net |
| основное уравнение мкт | 576 | portal.tpu.ru |
| особенности тушения пожаров на промышленных объектах | 568 | studfile.net |
| теория вероятностей и математическая статистика | 568 | portal.tpu.ru |
| классификация аминокислот | 560 | portal.tpu.ru |
| методы изучения физиологии | 557 | studfile.net |
| каково значение животных в природе и жизни человека | 534 | studfile.net |
| организационные и технические мероприятия в электроустановках по электробезопасности | 511 | studfile.net |
| нерабочее время | 510 | studfile.net |
| теория происхождения государства психологическая | 510 | studfile.net |
| норма радиации | 500 | portal.tpu.ru |
| объект субъект объективная сторона субъективная сторона | 498 | portal.tpu.ru |
| объект объективная сторона субъект субъективная сторона | 498 | portal.tpu.ru |
| субъект субъективная сторона объект объективная сторона | 498 | portal.tpu.ru |
| субъект объект субъективная сторона объективная сторона | 498 | portal.tpu.ru |
Доля в топе
По 500 частотным запросам самого сайта, поэтому он здесь всегда заметен. Место в нише среди конкурентов — в блоке «Рейтинг среди конкурентов».
Ядро конкурентов
| Запрос | Частота | Сайтов | elunn | studfile | portal | habr | ru |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| биполярный транзистор структура | 5 | 5 | 9 | 6 | 10 | 4 | 1 |
| вакуумная электроника это | 3 | 5 | 9 | 8 | 10 | 6 | 7 |
| характеристики полупроводниковых диодов | 3 | 5 | 11 | 8 | 1 | 9 | 7 |
| режимы работы диода | 0 | 5 | 9 | 4 | 8 | 3 | 11 |
| вольт амперная характеристика биполярного транзистора | 8 | 4 | 8 | 6 | 4 | 1 | |
| сопротивление базы транзистора | 6 | 4 | 5 | 3 | 9 | 8 | |
| триод на схеме | 3 | 4 | 8 | 6 | 4 | 10 | |
| выходные характеристики транзистора | 3 | 4 | 10 | 5 | 4 | 3 | |
| сопротивление p n перехода | 2 | 4 | 2 | 1 | 3 | 7 | |
| вах биполярного транзистора с общим эмиттером | 2 | 4 | 11 | 5 | 6 | 4 | |
| носители зарядов полупроводников | 1 | 4 | 4 | 6 | 11 | 1 | |
| переходная характеристика транзистора | 1 | 4 | 4 | 1 | 6 | 9 | |
| эквивалентная схема транзистора с общим эмиттером | 1 | 4 | 7 | 1 | 3 | 8 | |
| вах pnp транзистора | 1 | 4 | 9 | 5 | 1 | 4 | |
| крутизна вольт амперной характеристики | 1 | 4 | 9 | 1 | 6 | 4 | |
| эффект холла в полупроводнике | 1 | 4 | 10 | 9 | 3 | 5 | |
| вольтамперные характеристики транзистора | 1 | 4 | 10 | 1 | 7 | 2 | |
| выходная вах транзистора | 1 | 4 | 10 | 4 | 3 | 5 | |
| принцип действия триода | 1 | 4 | 11 | 6 | 7 | 9 | |
| коэффициент неидеальности диода это | 1 | 4 | 11 | 7 | 6 | 8 | |
| основное уравнение биполярного транзистора | 0 | 4 | 3 | 1 | 2 | 10 | |
| физические процессы в транзисторах | 0 | 4 | 5 | 2 | 1 | 6 | |
| условие возникновения тлеющего разряда | 0 | 4 | 6 | 7 | 5 | 10 | |
| физические процессы в биполярном транзисторе | 0 | 4 | 7 | 4 | 5 | 10 | |
| свободные носители заряда в полупроводниках | 0 | 4 | 8 | 2 | 7 | 9 | |
| длина свободного пробега в вакууме | 0 | 4 | 8 | 2 | 9 | 5 | |
| носители зарядов в чистых полупроводниках | 0 | 4 | 9 | 4 | 8 | 10 | |
| режим работы диода | 0 | 4 | 10 | 3 | 9 | 4 | |
| вах транзистора с общей базой | 0 | 4 | 10 | 3 | 6 | 2 | |
| транзистор схема физика | 0 | 4 | 10 | 7 | 6 | 11 | |
| принцип работы триода | 0 | 4 | 12 | 10 | 9 | 11 | |
| предмет бжд это | 581 | 3 | 8 | 7 | 10 | ||
| теория автоматического управления | 376 | 3 | 10 | 3 | 1 | ||
| методы оптимизации | 311 | 3 | 11 | 5 | 1 | ||
| оу что такое | 293 | 3 | 6 | 4 | 1 | ||
| проекция гаусса крюгера | 272 | 3 | 8 | 4 | 1 | ||
| транзистор биполярный принцип работы | 116 | 3 | 7 | 6 | 4 | ||
| метод парных точек | 21 | 3 | 7 | 10 | 1 | ||
| лбв принцип работы | 17 | 3 | 10 | 11 | 7 | ||
| найти схему включения транзистора с общим эмиттером | 15 | 3 | 10 | 9 | 5 | ||
| электростатическая линза | 12 | 3 | 5 | 3 | 2 | ||
| электронная линза | 9 | 3 | 6 | 1 | 4 | ||
| схема электронного микроскопа | 9 | 3 | 7 | 5 | 8 | ||
| биполярный транзистор вах | 8 | 3 | 11 | 3 | 6 | ||
| принцип действия электронного микроскопа | 8 | 3 | 13 | 9 | 12 | ||
| зонные диаграммы полупроводников | 7 | 3 | 8 | 11 | 1 | ||
| схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером | 7 | 3 | 10 | 2 | 5 | ||
| электронный микроскоп из чего состоит | 6 | 3 | 7 | 4 | 9 | ||
| входная характеристика биполярного транзистора | 6 | 3 | 9 | 3 | 4 | ||
| статические характеристики транзистора | 6 | 3 | 11 | 2 | 4 | ||
| диоды физика | 6 | 3 | 11 | 3 | 1 | ||
| протокол лабораторной работы | 5 | 3 | 6 | 1 | 8 | ||
| схема триода | 5 | 3 | 10 | 11 | 6 | ||
| полная погрешность | 4 | 3 | 5 | 8 | 2 | ||
| вторичное излучение | 4 | 3 | 5 | 9 | 4 | ||
| проходная характеристика | 4 | 3 | 6 | 2 | 1 | ||
| коэффициент инжекции | 4 | 3 | 6 | 4 | 8 | ||
| как найти pn | 4 | 3 | 6 | 4 | 2 | ||
| зонная диаграмма полупроводника | 4 | 3 | 9 | 7 | 1 | ||
| входные и выходные характеристики биполярного транзистора | 4 | 3 | 11 | 3 | 2 | ||
| ослабление ионизирующего излучения при прохождении через вещества происходит за счет | 3 | 3 | 6 | 1 | 2 | ||
| какие носители заряда существуют в полупроводниках | 3 | 3 | 8 | 10 | 2 | ||
| эффект эрли в биполярном транзисторе | 3 | 3 | 9 | 8 | 6 | ||
| вах мдп транзистора | 3 | 3 | 10 | 2 | 3 | ||
| гомопереход | 3 | 3 | 10 | 2 | 3 | ||
| плазменная электроника | 2 | 3 | 3 | 7 | 6 | ||
| зонная диаграмма диода | 2 | 3 | 3 | 2 | 10 | ||
| модель транзистора | 2 | 3 | 7 | 3 | 4 | ||
| сопротивление насыщения транзистора | 2 | 3 | 7 | 8 | 5 | ||
| токи в биполярном p n p транзисторе связаны выражением | 2 | 3 | 8 | 1 | 11 | ||
| тип проводимости транзистора | 2 | 3 | 10 | 6 | 9 | ||
| диффузионный транзистор | 2 | 3 | 10 | 2 | 6 | ||
| что такое h параметры транзистора | 2 | 3 | 11 | 9 | 4 | ||
| высота потенциального барьера формула | 1 | 3 | 1 | 4 | 9 | ||
| носители заряда в полупроводнике | 1 | 3 | 4 | 7 | 2 | ||
| транзистор формулы | 1 | 3 | 5 | 1 | 10 | ||
| иммерсионная линза | 1 | 3 | 5 | 2 | 6 | ||
| какие процессы происходят при прохождении ионизирующего излучения через вещество | 1 | 3 | 5 | 10 | 8 | ||
| вторичное излучение это | 1 | 3 | 6 | 2 | 7 | ||
| диффузия полупроводников | 1 | 3 | 7 | 3 | 1 | ||
| проходная характеристика транзистора | 1 | 3 | 7 | 3 | 8 | ||
| масса дырки | 1 | 3 | 8 | 1 | 10 | ||
| диффузия в полупроводниках | 1 | 3 | 8 | 6 | 3 | ||
| способ создания электрического поля в полупроводниках | 1 | 3 | 8 | 1 | 3 | ||
| напряжение база эмиттер формула | 1 | 3 | 8 | 6 | 7 | ||
| выходная характеристика биполярного транзистора | 1 | 3 | 9 | 2 | 3 | ||
| транзистор вах | 1 | 3 | 10 | 3 | 5 | ||
| носители электрического заряда в полупроводниках | 1 | 3 | 10 | 8 | 1 | ||
| выходная вольт амперная характеристика транзистора включенного по схеме с общим эмиттером | 1 | 3 | 10 | 4 | 5 | ||
| тлеющий разряд характеризуется | 1 | 3 | 10 | 8 | 4 | ||
| как найти ток эмиттера | 1 | 3 | 10 | 9 | 2 | ||
| вах транзистора с общим эмиттером | 1 | 3 | 12 | 5 | 4 | ||
| правила расчета погрешностей | 0 | 3 | 3 | 10 | 5 | ||
| носители заряда в полупроводниках это | 0 | 3 | 3 | 5 | 2 | ||
| вид входной вах биполярного транзистора определяет движение носителей заряда | 0 | 3 | 3 | 5 | 1 | ||
| взаимодействие ионизирующих излучений с веществом | 0 | 3 | 4 | 8 | 10 | ||
| время жизни носителей заряда | 0 | 3 | 4 | 5 | 7 | ||
| скорость электронов в вакууме | 0 | 3 | 5 | 4 | 10 | ||
| полупроводник формула | 0 | 3 | 5 | 8 | 2 | ||
| свойства полупроводниковых диодов | 0 | 3 | 5 | 1 | 3 |
Рейтинг среди конкурентов
13место по видимости в нише из 21
Сайт и 20 главных конкурентов из таблицы «Конкуренты» по 349 запросам ниши, за которые они борются между собой: в топ-10 Яндекса минимум трое из них, без брендовых запросов и маркетплейсов
Лидеры
Запросы, частоты и места на август 2026: по данным Букварикса
Ссылки
История веса домена
0510152024.072024.102025.042025.072025.102026.012026.042026.07
По графу ссылок Common Crawl, июль-сентябрь 2026. Вес домена от 0 до 100 по числу и весу ссылающихся доменов
mmu.testeka.ru
parksokolniki.mos.ru
kurtamysh.mfc45.ru
poppy-playtime.softonic.ru
centralnysklad.ru